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標題: [知識]記憶體顆粒""的差別處? [打印本頁]

作者: erin19 時間: 2006-1-23 12:27 PM 標題: [知識]記憶體顆粒""的差別處?

前言：
本文章的主要目的是讓讀者清楚地瞭解目前每個廠商的主流DDR晶片的超頻能力和工作時序，幫助不同層次的用戶們找到適合他們的記憶體產品。由於原作者列出的很多記憶體產品或者是顆粒在國內很難購買到，筆者在翻譯過程中加入了一些平常在國內可以看到的產品，以及筆者在使用這些產品時候的經驗，希望能夠以此文給大家最大的幫助。

內文：

一. Winbond（華邦）系列
　　Winbond（華邦）是臺灣著名的記憶體晶片生產商，該公司生產的DDR記憶體顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒辦法取代的，該公司的BH-5記憶體晶片已經成為高檔記憶體的代名詞。下面給大家帶來華邦公司的幾款享有盛名的記憶體顆粒。

1．BH-5(最高反應速度的顆粒)

　　BH-5是華邦公司最出名的記憶體顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的記憶體顆粒！這些顆粒以其超強的記憶體參數而著稱，並且對於電壓相當地敏感；大多數的 BH-5顆粒可以工作在2-2-2-X的參數下，當然在3.2-3.4V高壓下，部分採用BH-5顆粒的極品記憶體甚至工作在280MHZ的頻率，並且仍然維持2-2-2-x這樣的時序。當然這樣體質的BH-5顆粒還比較少見，對於記憶體的整體要求也相當高。如果你的主板不支援2.8V以上的記憶體電壓調節，采用BH-5顆粒的記憶體或許不太適合你，但是對於那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR booster可以幫助他們榨幹BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕鬆讓你的BH5達到DDR500,2-2-2-X以上，當然筆者不推薦正常使用中採用這麼高的電壓（畢竟大多數採用BH5顆粒的記憶體默認電壓為2.5-2.6V之間）。2003年是BH-5顆粒產量最多的一年，但目前華邦已經宣布停產BH-5顆粒，因此現在的市面上新售記憶體中採用BH-5的比例非常少，多數出現在售價超貴的高端記憶體中，如 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Corsair XMS, TwinMos, Buffalo 以及極少數低端記憶體產品中；當然另外一種尋找BH-5記憶體的方法就是在銷售商的庫存產品中，或二手市場，網友之間的交易來獲得。

2.CH-5

　　CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以後推出的另外一款試用於DDR400記憶體產品的記憶體晶片，可以稱之為BH-5的縮水版，為什麼這樣說呢？因為CH- 5超頻後工作參數一般只能達到2-3-2-X,頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠；並且對於電壓的敏感程度比不上BH-5，高於3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現象雖然主要還是記憶體顆粒的本身體質來決定的，但是和記憶體廠商的PCB板設計，用料還是脫不了干係的。不同批次的CH -5顆粒的差別也很大，一些少數CH-5顆粒同樣可以達到BH-5所能夠達到的成績，當然幾率非常小。目前華邦仍然在繼續生產CH-5顆粒，在BH-5停產後，縮水版的CH-5也逐漸被很多高端記憶體所選購，成為新一代的“極品”，不少採用CH-5顆粒的記憶體在適當的加壓後可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS, Kingston Hyper X以及其他幾個高端品牌的記憶體產品的一些型號均採用了CH-5顆粒。

3．BH-6

　　BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門大哥BH-5，大多數BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數下，並且在3.2-3.4V電壓下可以穩定工作在240-250MHz。不過由於華邦在推出BH-6顆粒不久後由於產能不足停止了該型號顆粒的生產，因此相比BH-5顆粒來說BH-6顆粒數量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston Value Ram PC2700等型號的記憶體產品上採用了BH-6顆粒。

4.CH-6

　　CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列一貫的優秀品質。CH-6在大多數情況下和CH-5很相似，不過不太容易穩定在2-2-2-X的時序，和CH-5一樣同樣對於電壓不是很敏感，最高的工作頻率應該是220MHz，2-3-2 -X的時序。CH-6面對的是性價比比較高的市場，在一些較低端的記憶體產品上比較常見，如Kingston Value Ram,，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。

5. UTT

　　UTT是華邦最新推出的DDR記憶體顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分佈超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛單面分佈的方式，因此BH-5系列記憶體的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無論是2x256mb 或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這一優勢在1GB記憶體成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對付主流的3D遊戲和軟體應用已經捉襟見肘。
　　UTT顆粒在辨認上顯得有點困難，你可以通過印刷在顆粒表面的商標很容易地辨認出上面介紹的華邦其他四款記憶體晶片，但是UTT的顆粒印刷種類比較多，在尋找的時候會帶來不小的難度。UTT常見的顆粒表面印著M.Tec或者Twinmos的商標，並且擁有華邦系列記憶體的特徵（顆粒正面左右對稱分佈2個凹進去的小圓圈，記憶體的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片），告訴大家一個小秘訣，一般具備華邦記憶體顆粒特徵但是沒有印刷BH- 5/CH-5的DDR400顆粒通常就是UTT顆粒了。一但擁有了採用UTT顆粒的記憶體，你會發現擁有1GB容量並且可以工作在275MHz 2-2-2-X時序的記憶體是多麼值得興奮的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多種品牌的低價記憶體上看到它的身影。1GB容量的售價在150美元左右，非常超值。

　　華邦系列記憶體顆粒的特徵－顆粒正面左右對稱分佈2個凹進去的小圓圈，記憶體的側面可以看到兩個短距離的金屬橫片
二．Hynix（現代）系列顆粒
　　目前現代主流的記憶體顆粒有兩種，默認頻率在200MHz的D-43顆粒以及250MHz的D-5顆粒。

1.D43(熱門顆粒)

　　D43是目前現代最常見的DDR記憶體顆粒，這款記憶體顆粒的特徵是可以工作在很高的頻率下，不過是以犧牲記憶體時序為代價的；通過手動超頻，D43顆粒普遍可以工作在260-270MHz，3-4-4-8的時序。D43通常也被戲稱為“Intel記憶體”，因為Intel系列晶片組對於記憶體的工作頻率依賴性比較大，而對於記憶體時序的依賴則小於AMD平臺，D43顆粒對於使用Athlon XP平臺的玩家來說並不是理想選擇。和華邦顆粒相反，D43對於電壓的要求不是很高，一般在多數主板所支援的2.8V電壓下就可以達到理想的頻率，因此深受那些不精通改造主板或者另外添置DDR Booster的用戶們來選購。目前D43顆粒分為三種，通過顆粒編號的最後5位即可辨別，早期的編號尾部為BT-D43，後期的又出現了CT-D43以及DT-D43，最後推出的DT-D43顆粒相比它的兩位師兄可以工作在更高的頻率下。由於D43的優秀的超頻性能，使得原本為DDR400記憶體設計的它出現在很多廠商的PC4000（DDR500）記憶體中，如Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot等。

2．D5

　　D5作為現代DDR系列記憶體顆粒的高端型號，和同門師弟D43的體質很相似，不過D5顆粒工作在更高的頻率和時序下。D5默認工作頻率就是 250MHz，是為DDR500記憶體設計的，因此極限頻率比D43更高，默認即可達到250MHz 2.5-4-7,D43工作在250MHz時的時序為3-4-4-8；此外D5顆粒可以普遍達到270-280MHz,少數可以超越300MHz，比 D43更優秀。D43被稱之為“Intel記憶體”，而D5顆粒則為更高端的Athlon64，Intel平臺的超頻玩家們提供了一個不錯的選擇，此外還可以很好地搭配Athlon XP平臺，2-3-3-X時序下頻率可以達到210-220MHz（當然了由於Athlon XP外頻極限較低，因此工作時序更好的華邦系列記憶體是其最佳選擇）。因此D5可以說是一款適用平臺相當廣的記憶體顆粒，和D43一樣，D5系列目前具備3個版本，編號分別為BT-D50, CT-D50，DT-D50，據稱最新的DT-D50版本被正實可以穩定工作在2-2-2-X 200MHz,和三星的高端顆粒TCCD類似，此外DT-D50工作在300MHz頻率以上的幾率也更大。目前OCZ PC4000 rev. 2, Corsair XMS以及其他品牌的多款型號採用了D5顆粒，我們給它的評價是：“性價比最好的記憶體產品”。

三.鎂光系列顆粒
　　鎂光系列DDR記憶體顆粒以出色的超頻性能以及相容性好而著稱，好多超頻玩家稱之為“中庸記憶體”，在中端領域鎂光的顆粒無人能敵。目前常見的DDR顆粒包括-5B C/-5B G系列。

1． -5B C

　　說實話鎂光的5B系列顆粒本來應該十分熱賣才對，這款-5B C顆粒不僅能夠達到很高的頻率並且同時擁有很棒的時序，通常可以穩定工作在230MHz，2.5-2-2-X，雖然CAS延遲不能達到2.0或者更低，但是TRD和TRP卻很低，均可穩定在時序2，當然工作頻率還可以上的更高。-5B C對於電壓同樣很敏感，在3.0V電壓下基本上可以達到最高頻率250MHz以上。鎂光的顆粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外該款記憶體的非同步性能非常好，對於高端的Athlon64，Intel平臺處理器FSB的提升尤其有幫助。目前多家廠商推出的PC3200記憶體均采用了鎂光的這款晶片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外還包括Crucial, OCZ 和其他品牌。

2. -5B G

　　-5B G顆粒是鎂光針對前者-5B C的改進版，雖然同樣為5ns晶片，但是所能達到的最高頻率要高於前者，著名的Crucial Ballistix系列記憶體就採用了這款型號的記憶體顆粒，不僅工作頻率高，記憶體時序也相當出色。-5B G顆粒可以在保持較高頻率的同時擁有出色的時序，大多數-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的時序，比大多數現代的D43/D5顆粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售價在250美元左右，此外你還可以在鎂光原廠DDR400上發現這款顆粒的身影。
四．Infineon（英飛淩）系列顆粒
　　Infineon（英飛淩）科技作為記憶體界的元老，其在SD時代的超頻性能無人能敵，並且具備完美的相容性能。目前英飛淩常見的幾款DDR記憶體顆粒在超頻上都有不錯的表現。

1 .B5

　　這是英飛淩的5ns記憶體顆粒，不過並不多見，因為僅有Corsair XMS3200 rev. 3.1這款記憶體使用了B5顆粒，默認設置為200MHz，2-3-3-6時序，相當不錯，總體特徵和華邦的CH-6顆粒很類似。B5顆粒對電壓同樣敏感，不過沒有華邦的顆粒那麼明顯，即使加壓後超頻幅度也很一般，在2.9-3.0V的電壓下只能工作在220-230MHz，嘗試超過這個電壓更是在浪費時間。

2. BT-6

　　這款是英飛淩的6ns顆粒，主要使用在PC2700記憶體產品上，和B5很類似，僅是在超頻幅度上略遜於後者。Kingston的KVR2700就是採用了BT-6顆粒，可以穩定工作在215MHz,2.5-3-3-11的時序；目前6ns的BT-6算是比較落伍了，不過可以輕鬆達到200MHz， CAS2.5的水準，如果想要達到更高的頻率和參數，就要在電壓上下功夫了。綜合來說，BT-6的好處就是以PC2700的價格帶給你PC3200的體驗。

3. BT-5

　　目前最常見的英飛淩DDR400晶片就是BT-5，默認工作頻率為200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常優化時序為2.5-3-2-X, 顯得一般，不過BT-5擅長的是頻率制勝，並且對於電壓敏感程度很高，在2.8V以上電壓，BT-5顆粒大多可以工作在240MHz以上，少數可以達到 275MHz，3-4-4-X的工作狀態。目前在很多品牌包括英飛淩原廠的PC3200記憶體都採用了這款BT-5顆粒，是一款性價比不錯的產品。

4. CE-5/BE-5

　　在BT-5 200MHz下的時序遭人詬病以後，英飛淩的另外一款5ns DDR顆粒進入了市場，CE-5顆粒可以穩定工作在200MHz 2-3-2-X時序，此外部分產品還可以上到260MHz以上的頻率，不過目前採用CE-5顆粒的記憶體品質參差不齊，一部分產品甚至不能穩定在 225MHz以上。此外最新推出的BE-5顆粒，可以單面實現512MB容量，在參數和極限速度上相比CE-5又有進步。

五．三星（Samsung）系列顆粒
　　三星是目前世界上最大的半導體公司，也是排名前三名的記憶體廠商，其生產的記憶體顆粒為各記憶體廠商廣泛採用，編號為TC系列的DDR記憶體顆粒更是得到了超頻玩家們的熱愛，當然其中最著名的就是TCCD顆粒。

1. TCB3

　　TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時序，參數非常優秀，此外它同樣可以工作在PC3200,但是不能繼續維持這麼高的時序，200MHz時的時序為2-3-3-6，不過也已經很不錯了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對於對於默認為166MHz的記憶體來說超頻幅度很大，TCB3對於電壓並不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很大；實際上，OCZ的幾款PC3700記憶體就是採用了TCB3顆粒，顯得有些不可思議。TCB3搭配那些FSB不超過180MHz的處理器效果很不錯，許多著名品牌的高端PC2700記憶體都採用了這款顆粒，包括Corsair XMS2700, XMS3200, Kingston Hyper X PC2700, Mushkin PC3200以及TwinMos，OCZ的部分型號。

2． TCCC

　　TCCC是三星TCC系列（PC3200）裏面編號為“C”的顆粒，表示其PC3200時預設CAS值為3，這款記憶體顆粒在很多廠商的PC3200記憶體產品中都可以看到。TCCC人稱“多面手”，是因為它可以工作在250-260MHz,3-4-4-8的時序，而默認200MHz時可以保持2.5-3- 3-6的時序，由於TCCC顆粒的售價比較便宜，因此和現代的D43一起成為性價比出色的代表。此外不少PC4000（DDR500）記憶體同樣採用了 TCCC顆粒，如KingSton Hyper X PC4000 module I，不過由於已經接近極限頻率，留給這款記憶體的超頻空間已經很小了。當然電壓對於TCCC顆粒的超頻有一定的影響，不過在2.8V時已經基本上可以達到最高頻率。Corsair XMS3700, Samsung PC3200以及其他品牌的PC3200產品上都可以看到TCCC的身影。

3. TCC4

　　TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400記憶體顆粒，不過並不常見，在一些品牌的PC3200低端記憶體甚至是PC2700記憶體上面可以看到它。 TCC4並不太適合超頻用戶，因為在加壓情況下最高也只能穩定在210-220MHz,3-3-3-X的時序模式下，對電壓很不敏感，只適合追求容量和性價比的用戶。

4. TCC5

　　TCC5是三星TCC系列的一款新產品，在各方面比它的前輩TCC4都要優秀的多，一般多用在PC3700記憶體產品上，超頻性能很不錯。這款記憶體的默認工作頻率為233MHz，初始頻率比TCC4的極限都要高，默認工作時序可以達到2.5-3-3-X，在超頻模式下，可以工作在250MHz，3-4-4 -X的時序下，對於電壓也不太敏感。這款顆粒相比TCCC和現代的D43來說並不常見，售價相對較高，對於AMD,Intel的平臺都比較適應， 200MHz下可以提供不錯的時序，而超頻狀態下可以提供不錯的頻率，是一個不錯的選擇。

5. TCCD(最高檔的顆粒)

　　繼華邦的BH-5之後，三星的TCCD是第二款應該被大家記住並懷念的顆粒；TCCD被稱之為“BH-5的代替者”，某些人贊同這一說法，當然也有人反對。TCCD可以稱得上最全面的記憶體晶片，要高參有高參，要高頻有高頻，TCCD可以在2-2-2-X的時序下穩定工作在220MHz,也可以在2.5- 4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩定運行，是目前工作頻率最高的DDR記憶體晶片。
　　TCCD對於電壓的比較敏感，但是並不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態，在2.8V或者更低電壓下即可達成，幾乎適用於所有的主流主板。目前採用TCCD顆粒的記憶體產品在沒有改造過的主板上可以輕鬆達到DDR600的水準，可以滿足不同需求的所有用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數不足可以通過更高的工作頻率來彌補，只是和某些主板的相容性不是太理想（這一點和BH-5沒的比啊）。目前幾乎所有的記憶體頻寬記錄都是由TCCD創造的，Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot XBL, Mushkin Level 2, G.Skill, PQI Turbo 以及Adata等採用TCCD顆粒的產品已經成為超頻玩家們追捧的對象，當然售價也是高高在上。

[ Last edited by erin19 on 2006-1-23 at 12:55 PM ]

作者: sodown 時間: 2006-5-1 06:53 PM

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