Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲，我硬翻的..)，一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用，這一段時間就是RAM Active Timing。
Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。
由於DDR RAM的資料儲存方式，是以一列下去儲存，放滿了或是不夠放，才會換列。因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。因此列定址後，只有行在換。也就是說，一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd)，等到行定址後，又要自主記憶體讀取下一N筆資料，而所需的準備時間就是CL值。因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。
謝謝您對硬體技術交流區的支持與愛護！
